南京大学物理系教授，理学博士，博士生导师。　　1998 年至 2000 年在美国 WISCONSIN 大学作访问研究。目前主要从事宽带隙半导体材料的生长与器件的研制。　　长期从事半导体异质结构材料与器件应用方面的研究工作，对元素半导体（锗硅）和宽带隙材料（ GaN ， ZnO 等）的外延生长技术与性质及器件的研制有深入的研究，取得了一系列有创新意义的研究成果。在材料生长技术方面，提出了锗硅异质结构外延中氢抑制锗分凝行为的技术，获国家发明专利，发展了生长高性能锗硅异质结构材料的技术与方法，揭示了 ZnO 缓冲层对 GaN 成核和生长作用的机理，提出并实现了 GaN 在蓝宝石直接成核的技术，发现了生长条件及反应过程控制材料结构性质的内在机理，提出并实现了抑制材料中裂纹产生的方法与技术等。　　共主持、具体负责和主要参加了国家自然科学基金，国家 "863" 计划，国家 "973" 计划，等十多项研究项目。先后在国内外学术刊物和国际学术会议上发表学术论文 40 多篇（第一作者），通过省部级以上成果鉴定 5 项，获得国家专利 2 项，获国家发明三等奖一项，教委科技进步二等奖一项，江苏省科技进步三等奖一项。